Samsung Galaxy S26 Ultra, mẫu smartphone flagship không gập thế hệ tiếp theo của hãng, đang được kỳ vọng sẽ có một nâng cấp lớn về RAM. Theo thông tin từ các nguồn tin đáng tin cậy, thiết bị này có thể được trang bị RAM LPDDR5X với tốc độ 10.7Gbps, được công bố lần đầu bởi bộ phận bán dẫn của công ty vào tháng 4 năm 2024. Nâng cấp này hứa hẹn sẽ cải thiện hiệu suất của điện thoại lên tới 25% và đồng thời tăng cường hiệu quả năng lượng tương tự.
Hiệu Suất Năng Lượng Tốt Hơn Của Galaxy S26 Ultra
Các báo cáo cho thấy rằng Galaxy S26 Ultra có thể sẽ sử dụng RAM LPDDR5X với tốc độ truyền dữ liệu 10.7Gbps. Chip DRAM này được giới thiệu bởi công ty vào tháng 4 năm 2024 và được sản xuất bằng công nghệ quy trình 12nm, giúp nó trở thành chip nhỏ nhất trong số các loại LPDDR hiện có.
Trong thông cáo báo chí, công ty đã khẳng định rằng RAM LPDDR5X 10.7Gbps sẽ cải thiện hiệu suất hơn 25% và dung lượng tăng hơn 30% so với thế hệ trước. Hơn nữa, nó cũng được cho là sẽ nâng cao hiệu quả năng lượng lên 25%.
Mặc dù có thông tin cho rằng Galaxy S26 Ultra sẽ là chiếc điện thoại đầu tiên của hãng được trang bị chipset này, nhưng một báo cáo khác lại cho rằng nó cũng đã được sử dụng trong Galaxy S25 Ultra. Do công ty không công bố chính thức loại RAM, nên rất khó để xác định chính xác thông tin này.
Trong thông cáo cùng với thông tin về RAM mới, công ty cũng đã đề cập rằng “Sản xuất hàng loạt RAM 10.7Gbps LPDDR5X dự kiến sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm nay, sau khi được xác nhận với các nhà cung cấp bộ xử lý ứng dụng di động và thiết bị di động.”
Nếu theo thời gian biểu này, RAM LPDDR5X 10.7Gbps có thể sẽ không sẵn sàng để được tích hợp vào thiết bị cho đến cuối năm 2024. Đến thời điểm đó, Galaxy S25 Ultra có thể đã ở giai đoạn sản xuất sâu, và việc trang bị RAM mới này sẽ khó xảy ra. Tuy nhiên, đây chỉ là suy đoán và không có gì chắc chắn cho đến khi công ty xác nhận thông tin này.